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アイテム
酸素イオン注入法により形成した埋め込み酸化膜を有する半導体基板の研究
https://repo.lib.tut.ac.jp/records/367
https://repo.lib.tut.ac.jp/records/367e95628f9-d5d6-446e-8f0e-16175ff2e137
Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
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公開日 | 2012-11-06 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | 酸素イオン注入法により形成した埋め込み酸化膜を有する半導体基板の研究 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||
資源タイプ | thesis | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | metadata only access | |||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
著者 |
中嶋, 定夫
× 中嶋, 定夫 |
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学位名 | ||||||
学位名 | 博士(工学) | |||||
学位授与機関 | ||||||
学位授与機関名 | 豊橋技術科学大学 | |||||
学位授与年月日 | ||||||
学位授与年月日 | 1994-03-09 | |||||
学位授与番号 | ||||||
学位授与番号 | 13904乙第67号 | |||||
関連サイト | ||||||
識別子タイプ | URI | |||||
関連識別子 | http://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/3074031 | |||||
関連名称 | NDLデジタル化資料 | |||||
関連サイト | ||||||
識別子タイプ | URI | |||||
関連識別子 | http://www.tut.ac.jp/university/docs/abstR67.pdf | |||||
関連名称 | TUT博士論文要旨 | |||||
他の資源との関係 | ||||||
関連名称 | 上記資料は目次のみ利用可 | |||||
他の資源との関係 | ||||||
関連名称 | 上記資料は要旨のみ利用可 | |||||
著者版フラグ | ||||||
出版タイプ | AM | |||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa |