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  1. 学術雑誌論文

Measurement of Thermal Radiative Properties of Silicon Wafers with Oxide Film and Nitride Film at 950℃

https://repo.lib.tut.ac.jp/records/1108
https://repo.lib.tut.ac.jp/records/1108
eec36819-1388-4544-bbbf-bc8ee8b79a15
名前 / ファイル ライセンス アクション
j09148817-0033-290.pdf j09148817-0033-290 (588.2 kB)
license.icon
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2013-02-20
タイトル
タイトル Measurement of Thermal Radiative Properties of Silicon Wafers with Oxide Film and Nitride Film at 950℃
言語 en
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ journal article
著者 HIRASAWA, Shigeki

× HIRASAWA, Shigeki

en HIRASAWA, Shigeki

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WATANABE, Tomoji

× WATANABE, Tomoji

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TORII, Tokuji

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UCHINO, Toshiyuki

× UCHINO, Toshiyuki

en UCHINO, Toshiyuki

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DOI, Takaaki

× DOI, Takaaki

en DOI, Takaaki

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 The normal spectral emissivity, reflectance and transmittance of silicon wafers were measured at a temperature of 950℃ and wavelengths of 0.7 to 9μm. The samples were seven silicon wafers with oxide films of 2.2 to 628nm film thickness and nitride films of 48 to 193nm film thickness with small dopant density. It was found that the emissivities of specular surfaces of silicon wafers with very thin oxide films at wavelengths of 0.7 to 8μm were 0.6 to 0.7, the reflectances were 0.1 to 0.3 and the transmittances were 0 to 0.2. The emissivity of silicon wafers with oxide films of more than 75nm film thickness and nitride films of more than 48nm film thickness changed from 0.6 to 1.0 according to film thickness and wavelength. The emissivities and reflectances of silicon wafers were calculated using the free carrier absorption theory considering the interference phenomenon. Calculated results agreed with experimental results.
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 ・rights:日本機械学会
・rights:本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
・relation:isVersionOf:http://ci.nii.ac.jp/naid/110002492502/
bibliographic_information JSME international journal. Ser. 2, Fluids engineering, heat transfer, power, combustion, thermophysical properties
en : JSME international journal. Ser. 2, Fluids engineering, heat transfer, power, combustion, thermophysical properties

巻 33, 号 2, p. 290-295, 発行日 1990-05-15
出版者
出版者 一般社団法人日本機械学会
item_10001_source_id_9
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 09148817
関連サイト
識別子タイプ URI
関連識別子 http://ci.nii.ac.jp/naid/110002492502/
関連名称 CiNii
出版タイプ
出版タイプ VoR
キーワード
主題 Thermophysical_Property
キーワード
主題 Thermal_Radiation
キーワード
主題 Electric_Equipment
キーワード
主題 Silicon_Wafer
キーワード
主題 Oxide_Film
キーワード
主題 Spectral_Emissivity
キーワード
主題 High_Temperature
キーワード
主題 Thermophysical_Property
キーワード
主題 Thermal_Radiation
キーワード
主題 Electric_Equipment
キーワード
主題 Silicon_Wafer
キーワード
主題 Oxide_Film
キーワード
主題 Spectral_Emissivity
キーワード
主題 High_Temperature
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