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Measurement of Thermal Radiative Properties of Silicon Wafers with Oxide Film and Nitride Film at 950℃
https://repo.lib.tut.ac.jp/records/1108
https://repo.lib.tut.ac.jp/records/1108eec36819-1388-4544-bbbf-bc8ee8b79a15
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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j09148817-0033-290 (588.2 kB)
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.png)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2013-02-20 | |||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||
| タイトル | Measurement of Thermal Radiative Properties of Silicon Wafers with Oxide Film and Nitride Film at 950℃ | |||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||
| タイトル | Measurement of Thermal Radiative Properties of Silicon Wafers with Oxide Film and Nitride Film at 950℃ | |||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||
| 著者 |
HIRASAWA, Shigeki
× HIRASAWA, Shigeki
× WATANABE, Tomoji
× TORII, Tokuji
× UCHINO, Toshiyuki
× DOI, Takaaki
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| 抄録 | ||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||||
| 内容記述 | The normal spectral emissivity, reflectance and transmittance of silicon wafers were measured at a temperature of 950℃ and wavelengths of 0.7 to 9μm. The samples were seven silicon wafers with oxide films of 2.2 to 628nm film thickness and nitride films of 48 to 193nm film thickness with small dopant density. It was found that the emissivities of specular surfaces of silicon wafers with very thin oxide films at wavelengths of 0.7 to 8μm were 0.6 to 0.7, the reflectances were 0.1 to 0.3 and the transmittances were 0 to 0.2. The emissivity of silicon wafers with oxide films of more than 75nm film thickness and nitride films of more than 48nm film thickness changed from 0.6 to 1.0 according to film thickness and wavelength. The emissivities and reflectances of silicon wafers were calculated using the free carrier absorption theory considering the interference phenomenon. Calculated results agreed with experimental results. | |||||||||||||||
| 内容記述 | ||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||
| 内容記述 | ・rights：日本機械学会 ・rights：本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである ・relation：isVersionOf：http://ci.nii.ac.jp/naid/110002492502/ |
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| 書誌情報 |
JSME international journal. Ser. 2, Fluids engineering, heat transfer, power, combustion, thermophysical properties en : JSME international journal. Ser. 2, Fluids engineering, heat transfer, power, combustion, thermophysical properties 巻 33, 号 2, p. 290-295, 発行日 1990-05-15 |
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| 出版者 | ||||||||||||||||
| 出版者 | 一般社団法人日本機械学会 | |||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||
| 収録物識別子 | 09148817 | |||||||||||||||
| 関連サイト | ||||||||||||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||||||||||||
| 関連識別子 | http://ci.nii.ac.jp/naid/110002492502/ | |||||||||||||||
| 関連名称 | CiNii | |||||||||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||
| 主題 | Thermophysical_Property | |||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||
| 主題 | Thermal_Radiation | |||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||
| 主題 | Electric_Equipment | |||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||
| 主題 | Silicon_Wafer | |||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||
| 主題 | Oxide_Film | |||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||
| 主題 | Spectral_Emissivity | |||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||
| 主題 | High_Temperature | |||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||
| 主題 | Thermophysical_Property | |||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||
| 主題 | Thermal_Radiation | |||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||
| 主題 | Electric_Equipment | |||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||
| 主題 | Silicon_Wafer | |||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||
| 主題 | Oxide_Film | |||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||
| 主題 | Spectral_Emissivity | |||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||
| 主題 | High_Temperature | |||||||||||||||
